SK하이닉스, 미국에서 HBM4E 만든다…40억 달러 인디애나 팹 착공

[경제일보] SK하이닉스가 40억달러 이상을 투입해 미국 인디애나주에 첫 고대역폭메모리(HBM) 생산거점을 구축한다. 한국에서 생산한 최첨단 웨이퍼를 미국에서 패키징해 현지 인공지능(AI) 고객에 공급하는 한미 HBM 생산체계가 오는 2029년 본격 가동될 전망이다.

28일 업계에 따르면 SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 기공식을 개최했다. 행사에는 마이크 브런 인디애나 주지사와 토드 영 연방 상원의원, 강경화 주미대사, 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등이 참석했다.

인디애나 팹에는 총 40억달러 이상이 투입된다. SK하이닉스는 2028년 10월 클린룸을 완공하고 2029년 3·4분기부터 차세대 HBM인 HBM4E 양산에 돌입할 계획이다. 생산이 본격화되면 약 1000명의 인력이 근무하는 미국 내 핵심 HBM 거점으로 운영된다.

인디애나 팹의 핵심은 한국과 미국을 연결하는 HBM 생산체계다. 한국에서 생산된 웨이퍼를 인디애나로 보내 어드밴스드 패키징과 테스트를 거친 뒤 'Made in USA' HBM으로 미국 고객에 공급한다. 어드밴스드 패키징은 여러 반도체 칩을 결합하거나 수직으로 쌓아 성능을 높이는 첨단 후공정 기술이다.

국내 HBM 생산시설을 미국으로 이전하기보다 한국의 웨이퍼 생산 경쟁력에 미국 현지 패키징 역량을 더하는 구조다. 주요 AI 반도체 고객이 미국에 집중된 만큼 현지 생산거점을 통해 고객 대응력을 높이고 공급망을 안정화하는 효과도 기대된다.

이번 착공으로 지난 2024년 발표한 인디애나 투자 계획도 실행 단계에 들어섰다. SK하이닉스는 당시 웨스트라피엣에 약 38억7000만달러를 투자해 AI용 메모리 패키징 생산시설과 연구개발(R&D) 거점을 구축하겠다고 발표했다. 미국 정부도 반도체지원법(CHIPS Act)에 따라 최대 4억5800만달러의 직접 보조금과 최대 5억달러 규모의 대출을 지원하기로 했다.

현지 반도체 생태계 구축에도 속도가 붙을 전망이다. 현재 100곳이 넘는 소재·부품·장비 협력사가 웨스트라피엣 진출을 논의하고 있다. SK하이닉스는 팹 건설과 운영 과정에서 약 7000개의 직·간접 일자리가 창출될 것으로 보고 있다.

토드 영 상원의원은 "이 프로젝트는 양질의 일자리를 창출하고 국가 및 경제 안보를 강화하며 미래 기술이 미국에서 개발되고 생산되도록 할 것"이라고 했다.

차세대 HBM 기술 개발을 위한 R&D 거점도 함께 구축된다. SK하이닉스는 인디애나 팹에 어드밴스드 패키징 R&D 테스트베드를 마련하고 퍼듀대학교와 HBM 및 차세대 패키징 기술을 공동 연구할 계획이다. 향후 미국 중서부 지역 대학과 연구기관으로 협력 범위도 확대한다.

곽노정 SK하이닉스 CEO는 "미국은 최고의 고객과 연구역량, 생태계가 함께하는 AI 혁신의 중심지"라며 "인디애나 팹은 최초로 'Made in USA' HBM을 제공하는 거점이 될 것"이라고 했다.