삼성전자, 2028년 하이 NA EUV D램 양산 추진…ASML과 협력 확대

[경제일보] 삼성전자가 차세대 노광 기술을 D램 제조에 적용한다. 오는 2028년 첨단 D램 생산에 하이 NA(High-NA) EUV를 도입하고, ASML과 12인치 포토마스크 개발에도 나선다.
 
8일 삼성전자는 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄’에 참여한다고 밝혔다. 이 컨소시엄은 현재 반도체 노광 공정에 쓰이는 6인치 포토마스크보다 큰 12인치 포토마스크를 새로 개발하기 위해 관련 기업들이 기술과 규격을 논의하는 협의체다.
 
포토마스크는 반도체 회로 패턴을 정밀하게 새긴 부품이다. 노광 장비에서 빛을 이용해 웨이퍼에 회로 패턴을 옮길 때 사용된다. 포토마스크에 담긴 회로 패턴을 웨이퍼에 얼마나 정밀하게 구현하느냐가 반도체 성능과 수율에 영향을 미친다.
 
12인치 포토마스크 개발은 하이 NA EUV의 생산성을 높이기 위한 기술 가운데 하나다. 하이 NA EUV는 기존 EUV보다 미세한 회로를 구현할 수 있지만 한 번에 노광할 수 있는 면적이 좁다는 제약이 있다.
 
더 큰 포토마스크를 사용하면 한 번에 처리할 수 있는 면적을 넓힐 수 있어 여러 차례 나눠 회로를 새기는 공정을 줄일 수 있다. 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮추는 효과가 기대된다.
 
하이 NA EUV는 기존 EUV보다 빛의 개구수(NA)를 높인 차세대 노광 기술이다. 기존 EUV가 최대 13.5nm 수준의 해상도를 구현하는 데 비해 하이 NA EUV는 8nm 수준까지 미세화할 수 있다. 기존 EUV에서 4번의 멀티패터닝으로 구현하는 2nm 회로도 공정 수를 이론적으로 절반 수준으로 줄일 수 있다.
 
삼성전자는 이 기술을 차세대 D램 미세화에 활용할 계획이다. 2028년까지 첨단 D램 제조에 하이 NA EUV를 적용해 공정 안정성을 조기에 검증하고, 새로운 노광 기술을 양산 체계에 빠르게 안착시킨다는 방침이다.
 
전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 “혁신 기술과 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고, ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 ‘넥스트 AI’를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것”이라고 했다.