삼성전자, 美 테일러 팹2 연말 착공…2030년 첨단 반도체 양산 목표

[경제일보] 삼성전자가 미국 텍사스주 테일러에 두 번째 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 올해 말 착공한다. 오는 2030년 첨단 공정 양산을 목표로 생산능력을 확대하는 동시에 글로벌 빅테크와 장기공급계약(LTA)을 늘려 인공지능(AI) 반도체 수요 증가에 대응한다는 전략이다.
 
30일 삼성전자는 올해 2분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 미국 테일러 팹2를 올해 말 착공해 2030년 양산을 추진한다고 발표했다.
 
현재 건설 중인 테일러 팹1은 올해 가동 준비를 진행하고 있으며, 이후 2나노 생산능력을 단계적으로 확대할 계획이다. 삼성전자는 1.4나노 공정에 대한 고객 문의가 늘어남에 따라 별도의 추가 생산시설 확보도 검토하고 있다.

삼성전자는 “현재 파운드리 선단 공정 생산능력(CAPA) 증설 속도가 수요를 따라가지 못하고 있다”며 “미국 테일러 팹1은 연내 가동 준비를 진행 중이고, 이후 2나노 생산능력을 단계적으로 확대할 계획”이라고 말했다.
 
이어 “증가하는 고객 수요에 적기 대응하고자 미국 테일러 팹2 역시 2030년 양산을 목표로 올해 말 공사 착수를 준비 중”이라며 “1.4나노 공정에 대한 고객 문의 증가에 따라 추가 팹 확보도 검토하고 있다”고 밝혔다.
 
파운드리 사업도 회복세를 이어가고 있다. 삼성전자는 전 공정의 가동률이 지난해보다 개선됐고, 특히 8나노 이하 선단 공정은 최대 수준의 가동률을 기록하고 있다고 설명했다.
 
올해 선단 공정 매출 비중은 전체의 절반을 넘어설 것으로 예상했으며, 2나노 수주 과제도 지난해보다 두 배 이상 늘어날 것으로 전망했다.
 
하반기에는 2나노 2세대 공정 양산을 시작하고 가동률과 수율 개선, 가격 인상 효과가 더해지면서 수익성도 개선될 것으로 기대했다. 파운드리 사업의 흑자 전환 시점에 대해서는 “가까운 시일 내 가능할 것으로 전망한다”고 했다.
 
삼성전자는 AI 서비스 확산으로 메모리 공급 부족이 내년 이후 더욱 심화할 것으로 내다봤다. 하이퍼스케일러의 AI 인프라 투자 확대에 따라 서버용 D램과 솔리드스테이트드라이브(SSD), 고대역폭메모리(HBM) 수요 증가세가 이어질 것으로 예상하면서 장기공급계약 확대에도 속도를 내고 있다.
 
삼성전자는 “내년 메모리 수요 대비 공급 격차는 올해보다 더욱 커질 것이 명확하다”며 “주요 5대 글로벌 데이터센터 고객과는 이미 계약을 완료했고 AI 수요와 연관된 추가 5개 대형 고객과도 협상을 마무리 단계에 있다”고 했다.
 
삼성전자는 협상이 마무리되면 현재 중장기 생산계획 기준 장기공급계약 비중 60~70%를 확보할 수 있을 것으로 전망했다. 또 “다년 공급 계약의 이행 구속력을 높이기 위해 다년간 보유하는 예치금 성격의 선수금을 계약 조건에 포함했고 이 가운데 약 4분의 1에 해당하는 금액을 이미 수취했다”며 “추가 계약이 진행되면 전체 선수금 규모도 더욱 늘어날 예정”이라고 했다.
 
하반기에는 HBM4 공급도 본격 확대한다. 삼성전자는 3분기 HBM4 매출이 전 분기 대비 세 배 이상 증가하고 하반기에는 HBM4가 전체 HBM 매출의 60% 이상을 차지할 것으로 전망했다. HBM 시장 점유율도 D램 점유율 수준까지 끌어올린다는 목표를 제시했다.